Samsung Electronics tái cơ cấu để phát triển chip băng thông cao

Dưới sự dẫn dắt của Phó Chủ tịch Sohn Young-soo – chuyên gia dày dặn kinh nghiệm trong lĩnh vực thiết kế DRAM hiệu suất cao, Samsung đã thành lập một đơn vị chuyên biệt tập trung vào phát triển HBM.

Phóng viên TTXVN tại Seoul dẫn truyền thông Hàn Quốc cho biết việc thành lập nhóm phát triển HBM mới là một phần trong chương trình cải tổ cơ cấu bộ phận bán dẫn của Samsung Electronics Co., nhằm hợp nhất các chức năng nghiên cứu và phát triển (R&D) và tăng cường các nỗ lực nghiên cứu. Nhóm HBM sẽ tập trung vào hoạt động R&D cho các sản phẩm HBM4 thế hệ tiếp theo, cũng như HBM3 và HBM3E.

Động thái này nhấn mạnh cam kết của “gã khổng lồ” công nghệ Hàn Quốc trong việc tăng cường cơ cấu R&D cho HBM, một loại DRAM hiệu suất cao có nhu cầu cao, đặc biệt là đối với các bộ xử lý đồ họa của Nvidia, đóng vai trò quan trọng trong điện toán trí tuệ nhân tạo (AI).

Samsung Electronics đã phát triển các sản phẩm HBM3E 12 lớp hàng đầu trong ngành, đang trải qua các bài kiểm tra chất lượng của Nvidia, nhưng dẫn đầu thị trường vẫn là đối thủ SK hynix Inc., với HBM3E mới nhất.

Để củng cố vị thế của mình, Samsung Electronics cũng đã tái tổ chức đội ngũ đóng gói tiên tiến và phòng thí nghiệm công nghệ thiết bị để nâng cao khả năng cạnh tranh công nghệ tổng thể.

Những thay đổi mới nhất được đưa ra trong bối cảnh Samsung đang nỗ lực cải thiện khả năng cạnh tranh trên thị trường HBM đang bùng nổ. Gần đây, công ty đã thay thế người đứng đầu bộ phận kinh doanh chất bán dẫn và bắt đầu tuyển dụng nhân sự cho hơn 800 vị trí, bao gồm các vị trí phát triển và xác minh bộ điều khiển cho các giải pháp DRAM thế hệ tiếp theo.